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本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：形成沿X方向间隔排列并往Y方向延伸的多个元胞区沟槽于半导体层中；形成沟槽栅结构于元胞区沟槽中；形成体区于半导体层的上表层；形成阻挡层于半导体层上方，并形成多个开口于阻...
该专利属于瑶芯微电子科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑶芯微电子科技（上海）有限公司授权不得商用。

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