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本发明提供一种磁性存储单元及其制备方法、磁性存储阵列、存储器，涉及磁性存储器技术领域。本发明的一种磁性存储单元，包括依次堆叠的底电极、第一自由层、第二自由层、隧穿层和参考层，其中，所述第一自由层通过至少一种磁性材料与至少一种非磁性材料多靶共...
该专利属于致真存储（北京）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过致真存储（北京）科技有限公司授权不得商用。

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