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本申请公开了一种半导体材料、制备方法和半导体器件，包括：层叠设置的第一衬底、第一氧化层和顶硅层；第一氧化层位于衬底上，顶硅层位于第一氧化层远离第一衬底的一侧；其中，第一氧化层具有沿第一方向的平均厚度H1，顶硅层具有沿第一方向的平均厚度H2，...该专利属于中环领先半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中环领先半导体材料有限公司授权不得商用。
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