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本发明公开的一种双面厚铜结构的功率MOSFET器件制备方法，包括：步骤1：制备晶圆；步骤2：在金属电极的压焊点处制备正面厚铜；步骤3：对晶圆进行划片形成划片道；步骤4：在晶圆正面制备环氧树脂层，以完全覆盖晶圆正面的正面厚铜并且完全填充划片道...
该专利属于上海朕芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海朕芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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