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本发明公开了一种钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜及其制备方法，用五氧化二钽粉末和氧化钨粉末混合烧制的靶材作为原料，采用脉冲激光沉积方法在钇稳定的氧化锆(YSZ)单晶衬底上制备得到钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄。本发明的钨掺杂六方相五氧化二钽薄膜...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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