温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及MXene基光电器件的研发与应用领域，具体为一种晶圆级MXene光电探测器阵列的构筑方法。本发明由组合优化的离心、旋涂、光刻和干法刻蚀四步对MXene薄膜晶圆级的图案化。阵列由碳纳米管晶体管和MXene光电探测器构成，碳纳米管晶体...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。