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北京天科合达半导体股份有限公司
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一种大尺寸碳化硅衬底及其制备方法技术
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下载一种大尺寸碳化硅衬底及其制备方法的技术资料
文档序号:37397416
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本发明提供了一种大尺寸碳化硅衬底,所述碳化硅衬底的厚度小于400微米,弯曲度bow值不大于
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该专利属于北京天科合达半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京天科合达半导体股份有限公司授权不得商用。
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