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本发明涉及一种半导体器件(10)，其包括：衬底(11)；光子半导体层(12)；第一绝缘体层(13)，其在该光子半导体层(12)的上方；和透镜层(14)，其在该第一绝缘体层(13)的顶部上。还公开了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括以下...
该专利属于康庞泰克私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过康庞泰克私人有限公司授权不得商用。

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