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本发明提供一种晶圆的膜层膜厚量测方法，属于半导体集成电路制造领域。该方法使用的设备包括：PVD机台、CVD机台、CMP机台、光刻机台、刻蚀机台、检测机台和量测机台，所述量测方法包括：相变材料沉积步骤；光刻对准步骤；对准标记刻蚀步骤；半导体组...
该专利属于北京时代全芯存储技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京时代全芯存储技术股份有限公司授权不得商用。

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