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本发明提供了一种晶硅太阳能电池及其制备方法，晶硅太阳能电池包括P型硅片、N型硅材料层和P型硅材料层，P型硅片的正面和背面均设有隧穿层；N型硅材料层连接于正面的隧穿层上，且N型硅材料层上开设有镂空部，N型硅材料层上层叠有正面透明导电膜层，且正...
该专利属于天合光能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天合光能股份有限公司授权不得商用。

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