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本发明提供了一种异质结晶硅电池及其制备方法，其中，异质结晶硅电池包括N型硅基体、N型硅材料层和P型硅材料层，N型硅基体的正面和背面均设有本征非晶硅层；N型硅材料层连接于正面的本征非晶硅层上，N型硅材料层上依次层叠有第一透明导电膜层、第二透明...
该专利属于天合光能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天合光能股份有限公司授权不得商用。

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