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本发明实施例公开了一种基于原子层沉积的二硫化钽薄膜制备装置及方法，涉及微纳米制造技术领域，能够减少合成生长的温度，以便于较少能耗和元器件损耗，从而增加元件使用寿命，减低使用成本。本发明包括：源路Ⅰ、多温区协同固体源输送装置、源路Ⅱ、反应腔体...
该专利属于南京工程学院所有，仅供学习研究参考，未经过南京工程学院授权不得商用。

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