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本发明公开了一种CMOS图像传感器的工艺方法，在半导体衬底上形成氧化层；然后进行刻蚀并填充形成STI，划出有源区；光刻及刻蚀，图案化后进行所述像素区的第一次高能粒子注入形成第一阱区；去除光刻胶，进行快速热退火和激活工艺；进行第二次离子注入，...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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