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本申请提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括衬底以及设置于衬底上且具有异质结界面的功能层，功能层包括有源区和非有源区，在功能层的非有源区设置有第一P型层，第一P型层用于去除第一P型层所覆盖的非有源区的二维电子气以对...
该专利属于广东致能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东致能科技有限公司授权不得商用。

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