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本发明公开了一种低触发电压高维持电压的单向可控硅静电防护器件，利用了在阳极N阱的左侧增添PW/P+结构P+，并阳极相连；在阴极P阱的右侧增添一个NW/P+结构，P+注入与阳极N阱内的新嵌入的N+结构短接，并利用GGNMOS结构完成触发过程，...
该专利属于湖南静芯微电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南静芯微电子技术有限公司授权不得商用。

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