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本发明实施例公开了一种半导体器件及制备方法。其中，半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面，且设有第一空气间隙，所述第一空气间隙自所述第一表面沿垂直所述半导体衬底的方向远离所述第一表面延伸于所述半导体衬底内；介质层，所述介质层...
该专利属于湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司授权不得商用。

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