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本发明公开了一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷及制备方法,包括由共烧低阻导带材料制成的中温陶瓷,共烧低阻导带材料包括陶瓷基层以及位于陶瓷基层上表面的钨钢金属化层。本发明的有益效果是:陶瓷采用中温烧结技术,可在1220~1280该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷及制备方法,包括由共烧低阻导带材料制成的中温陶瓷,共烧低阻导带材料包括陶瓷基层以及位于陶瓷基层上表面的钨钢金属化层。本发明的有益效果是:陶瓷采用中温烧结技术,可在1220~1280