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本申请涉及半导体制作领域，公开了一种低暗计数率的单光子雪崩二极管器件及其制作方法，包括在衬底的表面依次沉积层叠的第一介质层和第二介质层；在第二介质层的表面形成图形化光刻胶；以图形化光刻胶作为掩膜，刻蚀第二介质层形成图形化第二介质层，并去除图...
该专利属于深圳市灵明光子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市灵明光子科技有限公司授权不得商用。

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