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一种外延片、外延片制备方法及发光二极管技术
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文档序号:37334916
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本发明提供一种外延片、外延片制备方法及发光二极管,外延片包括:多量子阱层,多量子阱层包括交替堆叠的量子阱层和量子垒层,量子垒层包括依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层、第三量子垒子层、第四量子垒子层以及第五量子垒子层;第一量子垒子层为N...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。
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