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本发明涉及一种半导体激光器的制作方法，包括在InP衬底上依次生长InGaAlAs量子阱有源材料、InP间隔材料、InGaAlAs刻蚀停止层材料和InP包层材料，在InP包层材料上覆上SiO2脊波导条形掩膜，去除SiO2脊波导条形掩膜两侧的I...
该专利属于河南承明光电新材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河南承明光电新材料股份有限公司授权不得商用。

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