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本发明属于射频集成电路技术领域，具体提供一种超宽带双频段工作模式单刀双掷射频开关，用以解决现有单刀双掷射频开关在超宽频带下很难实现低插入损耗和高隔离度的问题。本发明包括：开关晶体管S11～S17与电感L，引入可重构晶体管S17，通过对可重构...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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