温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于射频技术领域，具体涉及一种集成电路封装引线框架上的M型磁耦合结构。所述M型磁耦合结构涉及集成电路封装件塑料包封体内的引线框架、金属键合线以及芯片裸片。所述M型磁耦合结构包括由所述引线框架、金属键合线以及芯片裸片形成的第一M型导电结...
该专利属于西南交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南交通大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。