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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种复合衬底及制备方法以及包含该衬底的外延结构和芯片，衬底包括：衬底本体上具有呈周期性间隔排列的图案化凹坑结构，凹坑结构上具有金属反射层，金属反射层上具有低折射率介质层，低折射率介质层将金属反射层完全包裹。本...
该专利属于淮安澳洋顺昌光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过淮安澳洋顺昌光电技术有限公司授权不得商用。

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