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本申请实施例提供一种甲酸气氛下的键合方法和增强凸点互连结构键合方法，涉及芯片封装技术领域。在第一器件的第一管脚的生长位点内部填充铜柱，并在铜柱顶端制备低熔点焊料帽；在第二器件的第二管脚的生长位点内部填充低熔点焊料，形成低熔点焊料层，随后将纳...
该专利属于广东省科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过广东省科学院半导体研究所授权不得商用。

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