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本发明公开了一种具有优异光电性能Cs2SnI6基复合膜的制备方法，首先以碘化铯和碘化锡为原料通过简便的溶剂热法制备得到Cs2SnI6粉末；再以硝酸银为反应原料，硫氢化钠为还原剂，聚乙烯吡咯烷酮为保护剂，正硅酸四乙酯为硅源制备得到Ag@SiO...
该专利属于合肥工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过合肥工业大学授权不得商用。

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