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本发明提供一种单晶硅晶圆中缺陷类型的判定方法，包括以下步骤：利用LST对As
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该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

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