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本申请提出了一种溅镀设备，通过在腔体外侧设置至少两个磁铁组，且靠近靶材的第一磁铁组的磁通量小于靠近产品的第二磁铁组的磁通量，使得腔体内磁性材料原子先穿过较弱的磁场让磁矩初步排列，再于远离靶材的位置穿过较强的磁场让磁矩进行进一步排列，以此可以...
该专利属于日月光半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过日月光半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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