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本发明涉及太阳电池技术领域，公开了一种晶体硅表面复合的测试方法，包括：制备包含校准区和测试区的硅片样品；测试得到校准区在不同光强下的过剩载流子浓度值Δn；测试得到整片硅片样品在不同光强下的空间分辨光致发光PL亮度值；根据校准区的平均Δn和平...
该专利属于泰州中来光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰州中来光电科技有限公司授权不得商用。

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