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提供一种包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板，其特征在于，包含将包括Ga2O3系单晶的单晶Ga2O3系基板的接合面与包括多晶体的多晶基板的接合面接合而成的接合基板，上述多晶基板是多晶SiC基板、多晶金刚石基板、多晶Si基板、多晶Al2O3基...该专利属于株式会社希克斯国立研究开发法人情报通信研究机构所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社希克斯国立研究开发法人情报通信研究机构授权不得商用。