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本发明公开了一种基于范德华界面的柔性透明铁电晶体管及制备方法，所述二维晶体管属于底栅顶接触型晶体管。包括在衬底上依次由上到下竖直分布的半导体沟道层、栅绝缘层、底部缓冲层、底栅电极、分别位于半导体沟道层两侧的源极、漏极。半导体沟道层、底部缓冲...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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