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本实用新型涉及一种磁控溅射设备及其冷却组件，完成ITO膜层的沉积后，第一阀体关闭而使得第一供气管与溅射腔室完全截止，第二阀体打开而使得第二供气管与溅射腔室连通，从而使得低温氩气能够通过第二供气管进入溅射腔室内，不仅满足铜种子层沉积的工艺要求...
该专利属于通威太阳能（安徽）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过通威太阳能（安徽）有限公司授权不得商用。

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