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一种半导体结构及其形成方法,其中半导体结构包括:衬底;位于所述衬底上的顶层金属层,所述顶层金属层包括应力集中区和非应力集中区,所述非应力集中区内具有若干平行于第一方向的沟槽;位于所述沟槽内的绝缘层;位于所述顶层金属层和所述绝缘层上的焊垫结构...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,其中半导体结构包括:衬底;位于所述衬底上的顶层金属层,所述顶层金属层包括应力集中区和非应力集中区,所述非应力集中区内具有若干平行于第一方向的沟槽;位于所述沟槽内的绝缘层;位于所述顶层金属层和所述绝缘层上的焊垫结构...