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一种薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。该薄膜晶体管的制备方法包括：提供半导体器件，半导体器件包括衬底、依次形成于衬底上的栅极、绝缘层和有源层，以及间隔形成于有源层上的源极和漏极；在半导体器件上形成厚度大于或等于5nm的钝化层；其中...
该专利属于西湖大学所有，仅供学习研究参考，未经过西湖大学授权不得商用。

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