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本发明属于材料细分领域，尤其是一种用于电子结构分析的密度矩阵模型方法，包括：建立参数的电子密度矩阵模型，计算出每个衍射点的理论X射线衍射强度和每个动量的康普顿散射轮廓的理论值；通过X射线单晶衍射实验，获得每个衍射点的实验强度I
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该专利属于中国科学院福建物质结构研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院福建物质结构研究所授权不得商用。

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