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本发明公开一种分离槽横向双扩散功率器件及其制造方法，属于基本电气元件的技术领域。该器件包括从下至上依次叠设的半导体衬底和有源区；有源区包括半导体漏区、半导体漂移区和半导体阱区，半导体阱区包含半导体源区和半导体体接触区；在半导体漂移区及栅极区...
该专利属于南京邮电大学南通研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学南通研究院有限公司授权不得商用。

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