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本发明涉及一种批量制备大面积铅盐半导体单晶薄膜的装置及方法。包括：多段式真空管式炉、气源、真空泵、加热与控温装置；多段式真空管式炉，含反应源放置区，恒温加热区，控温沉积区。所述大面积铅盐半导体单晶薄膜在垂直放置的基底上生长，利用真空管式炉，...
该专利属于南昌大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学授权不得商用。

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