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本实用新型公开了一种高耦合效率的双沟脊型半导体光放大器，包括互相耦合的半导体光放大器主体和光纤，所述半导体光放大器主体包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、下波导层、量子阱层、上波导层和上盖层，本实用新型有源区由量子阱和上下波导层构成，量子阱...
该专利属于厦门亨光芯睿科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门亨光芯睿科技有限公司授权不得商用。

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