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一种诸如ＲＦ　ＬＤＭＯＳ的半导体器件（３１０），其具有接地屏蔽（１００），该接地屏蔽具有一对堆叠的金属层（２１６、２３０）。第一金属层（２１６）沿着半导体器件的长度延伸并在半导体器件本体的上表面上形成。该第一层具有一系列规则地间隔开的横向第...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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