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本发明公开了一种基于隧道磁电阻的压控存储单元的实现方法，涉及磁存储技术领域，在压电伸缩层上表面即隧道结同一平面内设计一对面内电极，且在基片下表面制备一底电极，利用上表面内单个电极及底电极对压电伸缩层垂直方向施加电压，利用逆磁电耦合效应可使隧...
该专利属于浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。

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