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本发明涉及一种提高离子源束流强度的方法是将离子源的等离子体电极再往等离子体腔体内伸入，使等离子体电极的端面至靠离子源引出端的等离子体腔端面的距离为５０－５５毫米；另在等离子体腔内壁设有内壁镀金属材料的薄锆筒；该方法可使离子源的高电荷态的离子...
该专利属于中国科学院近代物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院近代物理研究所授权不得商用。

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