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本发明公开了一种亚微米级单晶薄膜的制备方法，1）将功能层晶圆和支撑层晶圆通过键合工艺键合在一起，得到键合体；2）将键合体中的功能层机械减薄至15μm的厚度；3）对步骤2）减薄后的键合体功能层再进行离子束物理轰击处理，使键合体中的功能层厚度不...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十六研究所授权不得商用。

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