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本发明公开了一种具有荧光监测的非易失性的光电神经突触器件，包括：栅电极、介电层、二维层状薄膜、源电极、漏电极和半导体硅量子点，其中：介电层位于栅电极上，二维层状薄膜位于介电层上，源电极、漏电极和半导体硅量子点薄膜均位于二维层状薄膜上，其中，...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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