温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件包括：衬底；多个垂直沟道，设置在所述衬底上；多层栅极结构，堆叠在所述衬底上，且所述栅极结构环绕所述垂直沟道设置；多层源/漏连接层，堆叠在所述衬底上，所述源/漏连接层与...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。