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本发明公开了一种实现CASCODE模式的GaN HEMT功率器件，属于半导体技术领域，器件包括从下至上依次连接的第三衬底、第二中间层、缓冲层、GaN层和AlGaN层；AlGaN层上设置有源极、漏极和栅极，其中，源极、漏极均延伸连接至所述Ga...
该专利属于成都功成半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都功成半导体有限公司授权不得商用。

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