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本发明提供一种氮化镓外延衬底及其制备方法，氮化镓外延衬底的制备方法，包括以下步骤：提供硅基底，并在硅基底上形成二氧化硅膜层；在二氧化硅膜层上形成图形化的光刻胶层，图形化的光刻胶层在定义器件区域形成开口；以图形化的光刻胶层为掩模，在开口处刻蚀...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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