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一种基于薄膜铌酸锂悬臂梁结构的双偏振端面耦合器制造技术
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下载一种基于薄膜铌酸锂悬臂梁结构的双偏振端面耦合器的技术资料
文档序号:37153860
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本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂悬臂梁结构的双偏振端面耦合器,其截面结构从下至上包括了衬底层,埋氧层,第一层全刻蚀铌酸锂波导层,第二层浅刻蚀铌酸锂波导层以及包层。整体结构包括输入悬臂梁结构,偏振旋转结构,偏振分束结构,两个输入双层锥形波导结构...
该专利属于浙江大学嘉兴研究院所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学嘉兴研究院授权不得商用。
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