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本发明提供了一种基于全HVPE工艺生长的GaN结势垒肖特基二极管及其制备方法，包括：采用HVPE工艺，以液态金属镓作为Ga源，氨气为N源，SiH4为n型掺杂源，在双抛的GaN单晶自支撑衬底上生长一层n型GaN外延层；对n型GaN外延层进行光...
该专利属于深圳大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳大学授权不得商用。

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