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本发明公开了一种快恢复超结器件的制造方法，包括以下步骤：步骤S1，执行前序集成电路制造工艺，至层间电介质沉积步骤；步骤S2，层间电介质沉积，所述层间电介质沉积步骤中至少包括沉积氮化硅膜；步骤S3，金属层作业步骤，所述金属层作业步骤中包括进行...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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