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本申请涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端及其制造方法，包括：N型SiC衬底，形成于N型SiC衬底顶层的N型漂移区，N型漂移区上设有P型基区，在N型漂移区上且位于P型基区的一侧，依次设有深度逐步减小的阶梯沟槽，阶梯沟槽的外表面包...
该专利属于深圳市威兆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市威兆半导体股份有限公司授权不得商用。

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