温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种高压器件的金属栅结构及其制作方法，在有源区上形成栅氧层；在栅氧层上形成伪栅极；伪栅极由彼此间隔排列的多个多晶硅结构构成；在多个多晶硅结构的侧壁以及多晶硅结构之间的栅氧层上形成保护层；覆盖绝缘层以填充多晶硅结构之间的区域，被填充...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。